Лэнс Басс сделал операцию и возвращается в Москву

Вероятно, уже в ближайшее время станет известно имя третьего космического туриста, который осенью нынешнего года отправится в космос на борту российского космического корабля "Союз ТМА-1". Если помнят постоянные читатели "Последних космических новостей", то всерьез обсуждались три кандидатуры: солиста американской рок-группы "Nsync" Лэнса Басса (Lance Bass), бывшего заместителя администратора NASA Лори Гарвер (Lori Garver) и польского бизнесмена Лешека Чарнецкого (Leszek Czarnecki). Сейчас уже можно вычеркнуть из этого списка Чарнецкого, так как поляк после своего первоначального объявления о желании совершить космический полет никаких действий по реализации намерений не предпринял.
Из двоих оставшихся, и в этой оценке сходятся все эксперты, более предпочтительны шансы у Басса. Как стало известно, около 2 недель назад певцу была сделана операция, чтобы скорректировать ритм работы сердца. Как сообщают представители Басса, эта операция была запланирована еще до медицинского обследования в Москве, а возможный полет в космос лишь ускорил ее проведение. В ближайшие дни американец должен прибыть в России для повторного обследования и, если не будет зафиксировано никаких отклонений в состоянии его здоровья, то он готов сразу же приступить к подготовке в Центре подготовки космонавтов имени Ю.А. Гагарина.
Хирургическое вмешательство требовалось и Лори Гарвер — удаление камня из желчного пузыря — но пока нет подтвержденных данных о том, что операция состоялась.
Если сравнивать шансы двух возможных кандидатов, то я бы отдал предпочтение Бассу. Во-первых, он моложе, а значит и с медицинской точки зрения ему проще победить перешагнувшую бальзаковский возраст Гарвер, а, во-вторых, и это, наверное, самое важное, у Баса уже есть средства на полет. Учитывая, что мы живем в сугубо рациональном мире, то, при любом раскладе, преимущество всегда стоит за деньгами.
Тем не менее, давайте подождем еще чуть-чуть, максимум две недели, когда станет известен окончательный "итог" претендентской гонки за место на "Союзе".

Транзистор Intel с трехмерным затвором

12 июня корпорация Intel объявила, что ее инженеры разработали новую технологию, которая поможет корпорации закрепить лидерство в области производства высокопроизводительных полупроводниковых компонентов с низким энергопотреблением.

Проведенные в Intel исследования новых типов транзисторов позволили сделать еще один шаг к началу массового производства транзисторов с трехмерным затвором. Эти транзисторы отличаются значительно улучшенными показателями производительности и энергопотребления, и инженеры Intel рассчитывают, что они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с использованием 45-нанометровой и более совершенных производственных технологий. Базовыми элементами микросхем долгое время были планарные транзисторы, которые появились в конце 1950-х годов. Однако по мере развития нанотехнологий, позволяющих создавать транзисторы с элементами, толщина которых составляет всего лишь несколько атомов, то, что раньше воспринималось как<плоское>, теперь разрабатывается в трех измерениях ради дальнейшего улучшения производительности и энергопотребления микросхем. Регулярно запуская в массовое производство все более совершенные процессоры, корпорация Intel разработала методику объединения новых трехмерных транзисторов с другими полупроводниковыми технологиями, которая позволит сделать вычислительные системы гораздо более производительными и экономичными.

Вполне возможно, что транзисторы с трехмерным затвором послужат основой будущих высокопроизводительных экономичных технологий Intel, потому что они отличаются значительно меньшей утечкой и потребляют гораздо меньше энергии, чем нынешние планарные транзисторы. В сравнении с современными транзисторами, производимыми по 65-нанометровой технологии, интегрированные транзисторы с трехмерным затвором могут обеспечить 45-процентное увеличение тока возбуждения (от которого зависит быстрота переключения транзистора) или 50-кратное уменьшение запирающего тока, а также 35-процентное уменьшение тока переключения транзистора. Повышенная производительность и сниженное энергопотребление новых транзисторов позволят обеспечить новое качество работы для пользователей ПК и других устройств, созданных на базе платформ Intel.

<Эти результаты подтверждают эффективность подхода Intel к разработке инновационных технологий, — заявил Майк Мэйберри (Mike Mayberry), вице-президент корпорации Intel и руководитель подразделения, занимающегося исследованиями компонентов. — Успешно объединив три ключевых элемента — трехмерную геометрию затвора транзистора, диэлектрикии технологию напряженного кремния, — мы в очередной раз разработали транзистор с рекордными характеристиками. Это вселяет в нас уверенность в то, что закон Мура не утратит силу и в следующем десятилетии>.

Технический отчет об этом исследовании был представлен инженерами Intel 13 июня на симпозиуме по технологии VLSI (2006 Symposium on VLSI Technology) в Гонолулу.