Главная :: Архив статей :: Гостевая :: Ссылки

Наши друзья

Архивное дело: частный архив, поиск документов в архивах стран СНГ и Европы, генеалогия, составление родословных, архивные справки

Помощь сайту

WEB-Money:
R935344738975

Наша кнопка

XArhive - архив научно-популярных и просто интересных статей

Партнеры

Главная страница > Архив новостей

Изобретение новых светодиодов озадачит хакеров

Исследователи японской корпорации Toshiba заявили о разработке новой технологии, которая может оказать неоценимую услугу в борьбе против хакеров.

Ученым удалось получить новый тип излучающих светодиодов, испускающих по одному фотону в заданный промежуток времени. По словам авторов изобретения, совместно проводимого исследовательскими лабораториями Toshiba и Кембриджского университета, новые светодиоды позволят сделать оптоволоконную связь практически неуязвимой для перехвата.

Как утверждают разработчики, полученный результат — регулированное излучение фотона в единицу времени — приводит исследование в область квантовой криптографии, особого вида оптической связи, недоступной для хакеров. Добиться желаемых свойств светодиодов удалось за счет внедрения полупроводниковых нанотехнологий.

Единичные фотоны могут быть использованы для аутентификации пользователей оптической сети. Испускаемые по одному и в заданные промежутки времени, фотоны, несущие зашифрованные данные, полностью исключают возможность перехвата злоумышленниками. Кроме того, эта технология позволяет каждый раз изменять ключи шифрования, что еще в большей степени снижает риск ведения нечестной игры.

Руководитель исследовательского проекта, д-р Эндрю Шилдс (Andrew Shields) заявил, что данное открытие должно сыграть важнейшую роль в распространении широполосных интернет-сервисов, причем не в последнюю очередь за счет повышения доверия пользователям к безопасности электронной коммерции.

from: http://www.cnews.ru

red. lent.

Тайна эффекта Казимира: новые данные

Как сообщает сайт cnews.ru, исследователи в США и России продемонстрировали возможность использования одного из самых загадочных явлений — сил Казимира. Полученные ими результаты могут найти применение в создании новых типов микроэлектромеханических систем (MEMS).

Эффект Казимира, впервые открытый в 1948 г. физиком Хенриком Казимиром (Henrik Casimir), состоит в притяжении двух проводящих незаряженных поверхностей в вакууме. Возникновение сил Казимира невозможно объяснить с точки зрения классической физики, квантовомеханическая его интерпретация также сталкивается с проблемами.

В настоящее время эффект пытаются объяснить "силами вакуума" — существованием нулевых колебаний электромагнитного поля, возникающего вблизи проводящих поверхностей. Сами эти колебания — чисто квантовомеханическое явление. Каждая из поверхностей из-за флуктуаций испытывает "радиационное" давление.

Можно объяснить эффект Казимира и с энергетической точки зрения — плотность энергии нулевых колебаний между пластинами меньше, чем снаружи, что и обусловливает притяжение пластин. Доктор Умар Мохидин (U.Mohideen) из Калифорнийского университета в Риверсайде ранее поставил самые точные на сегодняшний день измерения силы Казимира. С помощью атомного силового микроскопа ему удалось исследовать притяжение между металлическими сферой и поверхностью и учесть вклад множества факторов, таких как электростатические заряды, неровность поверхностей и неидеальность их отражающих свойств, зависимость эффекта от температуры тел. Результаты очень хорошо согласовались с теорией, с точностью около 1%.

В нынешнем исследовании, выполненном Мохидином в сотрудничестве с российскими учеными Г.Л. Климчицкой из Северо-Западного Технического Университета (С.-Петербург) и В.М. Степаненко (Москва), и опубликованном в Physical Review Letters, удалось сделать важный шаг в понимании эффекта Казимира. Ученые показали, что притяжение возрастает с увеличением плотности заряда в проводящих поверхностях, и именно это открывает возможность регулирования эффекта.

Силу Казимира измеряли с помощью атомного силового микроскопа между сферой диаметром 0,6 мкм, покрытой слоем золота, и тонкой кремниевой пластиной, находящейся на расстоянии 70 нм. При этом использовали две пластины, одна из которых была контрольной, а другая — с различными легирующими добавками, благодаря которым плотность носителей заряда возрастала в 20 тыс. раз.

В результате оказалось, что разница в силах Казимира в этих двух случаях составляла 17 пиконьютонов (около 7% от абсолютного значения силы Казимира). Новая закономерность в проявлении сил Казимира поможет в разработке микроэлектромеханических систем, при этом будут учитываться как возможные нежелательные эффекты из-за возросшего притяжения проводящих поверхностей, так и открывающиеся перспективы для более тонкой регулировки MEMS, сообщает PhysicsWeb.

Главная :: Архив статей :: Гостевая :: Ссылки