Светоизлучающие транзисторы

Светоизлучающие диоды давно вошли в повседневный быт — на их основе делают карманные фонарики и световые брелоки, их используют в качестве индикаторных ламп, а в последние годы начата разработка с их помощью систем освещения зданий. Возможно, новое открытие американских ученых ждет еще более блестящее будущее. Речь идет о создании первого светоизлучающего транзистора.

Ник Холоняк (Nick Holonyak) и Милтон Фенг (Milton Feng), ученые из университета в Урбана-Шампейн (штат Иллинойс), опубликовали в журнале Applied Physics Letters сообщение о создании полупроводникового устройства — биполярного транзистора, в котором использована подложка из арсенида галлия и слои InGaP, InGaAs и GaAs. Им удалось зарегистрировать излучение базового слоя транзистора, при этом интенсивностью излучения можно управлять путем изменения тока базы. Д-р Холоняк объясняет возникновение излучения в инфракрасном диапазоне процессом рекомбинации в InGaP и GaAs электронов и положительно заряженных дырок. То же самое происходит и в светоизлучающих диодах, но в транзисторах образование фотонов происходит в условиях с несравненно большей скоростью рекомбинации. Д-р Фенг говорит, что в новом транзисторе по существу появляется новый порт — оптический. Излучение можно модулировать — исследователи продемонстрировали эту возможность в транзисторе, работающем на частоте 1 МГц, и в принципе есть возможность модуляции и на гораздо более высоких частотах.

Ученые считают, что разработка находится лишь на самой начальной стадии, и пока трудно предвидеть все возможные области применения. Однако ясно, что светоизлучающие транзисторы можно использовать в интегрированных сборках, где одновременно происходит обработка электрических и оптических сигналов. Возможность работы на высоких частотах привлекательна с точки зрения замены электрических соединений между электронными компонентами плат на оптические.

Холоняк и Фенг — очень авторитетные специалисты в сфере разработки полупроводников. Д-р Холоняк разработал первый коммерческий образец светоизлучающего диода и первый полупроводниковый лазер в видимом диапазоне спектра. Д-р Фенг недавно представил биполярный транзистор InP-типа, работающий на рекордной частоте 509 ГГц.

Сергей Крикалев хочет вновь побывать на орбите

Первый кавалер звезды "Герой России" космонавт Сергей Крикалев, уже пять раз летавший в космос, мечтает снова увидеть голубую планету с 400-километровой высоты. В интервью РИА "Новости" по телефону накануне Дня космонавтики 43-летний Сергей Крикалев признался, что ему хотелось бы вновь попасть на МКС и "провести ряд научных исследований в условиях невесомости". Во время первой командировки на МКС, по словам Крикалева, космонавтам "пришлось как бы вводить станцию в эксплуатацию — налаживать системы жизнеобеспечения, связь" и для научных экспериментов не было времени. Собственно, и научного оборудования в то время на станции "было маловато", сказал космонавт. Крикалев не раскрыл своих планов относительно нового полета на станцию.
Его супруга — Елена Терехина — была более откровенна и рассказала, что ее муж уже готовится к новой космической экспедиции. "Мы вместе работаем в ракетной космической корпорации "Энергия". Он — готовится к новому полету в отряде космонавтов этой корпорации, а я работаю инженером", — сказала Елена корреспонденту РИА "Новости". По ее словам, супруг увлекается спортом — он мастер спорта по спортивному самолетовождению, имеет первый разряд по плаванию, увлекается виндсерфингом, теннисом, планерным спортом. А вот в театр вместе выбраться практически не удается, "по режиму жизни времени свободного мало", говорит Елена.
Последний раз Крикалев летал в космос в октябре 2000 — апреле 2001 года. Тогда он был членом первой постоянной экспедиции на Международную космическую станцию /МКС/. А первая его "космическая одиссея" состоялась десять лет назад. В течение десяти месяцев /май 1991-март 1992/ он работал на российской станции "Мир".